GJB 5018-2001 半导体光电子器件筛选与验收通用要求
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9 |
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日期: |
2024-7-14 |
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GJB 5018-2001,半导体光电子器件筛选与验收通用要求,1范围,1.1 主题内容,本标准规定了军用发光二极管、发光二极管显示器、光敏二极管、光敏晶体管、光电耦合器(限定为光,敏二极管、光敏晶体管型)(以下简称器件)的筛选与验收通用要求,1.2 适用范围,本标准适用于按国家军用标准、行业军用标准或企业军用标准进行生产过程控制的,在武器系统和,军事电子设备重点工程中应用的国产器件JPJTJCT级的筛选与验收,进口器件或按其它标准进行生产过程控制的国产器件亦可参照使用,1.3 应用指南,本标准是对GJB 33A《半导体分立器件总规范》的补充,2引用文件,GJB 33A—97半导体分立器件总规范,GJB 128A—97半导体分立器件试验方法,GJB 4027—2000军用电子元器件破坏性物理分析方法,SJ 2214—82半导体光敏管测试方法,SJ 2215—82半导体光耦合器测试方法,SJ 2355.1-SJ 2355.7—83半导体发光器件测试方法,3定义,本章无条文,4 一般要求,4.1 筛选,4.1.1 被筛选器件必须是生产定型或设计定型、工艺稳定的产品,4.1.2 器件应百分之百进行筛选,筛选过程应与失效分析相结合。当被筛选器件出现致命失效或参数,严重退化时,必须进行失效分析,4.1.3 筛选所用仪器设备应有专人负责,定期计量,周期检定合格,性能指标符合要求,且稳定可靠,4.1.4 筛选记录应数据完整,准确无误。筛选者应签署姓名及日期,并对筛选结果负责,4.1.5 当要求测试器件参数变化率时,应将器件逐个编号,4.2 验收,4.2.1 验收分类,验收分为下厂验收和承制方(生产单位)代验,4.2.1.1 下厂验收,器件的使用方(需方)或其委托单位在承制方(生产单位)由供需双方共同进行的交收试验。其主要,目的:,a)检查器件是否符合合同、技术协议或产品规范(技术条件)的要求;,GJB 5018-2001,b)检查器件的批次质量状态;,c) 了解生产工艺是否正常,质量控制是否有效;,d)检查器件质量可靠性是否达到规定的等级,4.2.1.2承制方代验,器件由承制方(生产单位)单方面按照合同、技术协议或产品规范(技术条件)进行的验收。使用方,(需方)收到器件后应做以下检查:,a)检查器件的包装质量;,b)检查质量文件;,c)检查器件质量和数量;,d)如有质量问题应在收到器件后的一个月内反馈承制方,4.2.2 验收人员,验收人员应熟悉被验器件的技术特性,了解合同、技术协议或产品规范(技术条件)的要求。能使用,有关的仪器设备,具备独立处理器件一般质量问题的能力,责任心强,有良好的职业道德,4.2.3 验收所用仪器设备和测试方法,验收所用仪器设备必须检定合格,并在有效期内,精度应满足测试要求,测试方法应符合SJ 2214.SJ 2215和SJ 2355.1-SJ 2355.7等相应规定或技术协议或合同的规定,4.2.4 验收器件的贮存期,除非另有规定,验收的器件应是在成品库存放一个月以上的,但不得超过12个月,4.2.5 验收报告及有关资料,验收时,承制方(生产单位)应向使用方(需方)提供筛选报告、质量一致性检验或例行试验报告等有,关报告和记录。如有失效产品,应有失效分析报告,以及特殊情况的处理意见和证明文件等有关资料,验收完毕,双方签署交收报告。验收无论通过与否,负责验收的单位都应填写报告,5详细要求,5. 1筛选,5.1.1筛选程序,全部JPJTJCT级器件,应按表1规定的项目顺序、要求100%承受并通过全部筛选试验,表1筛选要求,序号筛选,GJB 128A,方法号,条 件JCT JT JP,1 内部目检,(封帽前),晶体管,二极管,2072,2073,一,100% 100% 一,2 常温电参数测试本规范,5.1,2.1,- 100%,3,高温贮存,塑料封装,全环氧封装,1032,100±2,C - -,96h,金属玻璃封装,金属陶瓷封装,150 ±3r,除此按有关详细规范,160h,2,GJB 5018-2001,表1(续),序号筛选,GJB 128A,方法号,条 件JCT JT JP,4,温,度,循,环,塑料封装,1051,-55±3 匕三± +85±2C,循环10次,- - 100%,金属玻璃封装,金属陶瓷封装,-55±3t = +125 ±3X3,循环20次,100%,5 恒定加速度,(适用于空封器件),2006 Y1 加速度 196000m/s2 °,试验时间Imin,100% 有要,求时,-,6 粒子碰撞噪声检测,(PIND),(适用于空封器件),2052 条件A,PDA415% 100%,-,7 密封性检查,(适用于空封器件),a)细检漏,b)粗检漏”,1071,Hl 或 H2,最大泄漏率为5X10、,Pa,cm3/s,内腔体积>0.3 cm3的器件,最大泄漏率为5 X IO、,Pa ?cm3/s,试验条件C,100%,8 编序列号本规范,5.1.2.1.1,-,100% 有要,求时,一,9 中间测试电参数本规范,5.1.2.1.2 -,100%,(读取并,记录数,据),有要,求时,—,10 高温反偏(HTRB),光敏晶体管,光电耦合器,1039 试验条件A Ta = L25t 100% -,11 PDA的中间测试并,计算(△)变化量,光敏晶体管,光电耦合器,一,△左W初始值的100%或,25nA,取较大者,ACTR W初始值的20%,△IceoW初始值的100%,或25nA,取较大者,PDA,<5%,PDA,《10%,12 功率老炼本规范,5.1.2.2,-,1……
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